MPG160N04P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPG160N04P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPG160N04P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG160N04P даташит

 ..1. Size:274K  cn minos
 mpg160n04p.pdf pdf_icon

MPG160N04P

Silicon N-Channel Power MOSFET Description The MPG160N04 uses advanced technology and design to provide excellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS=40V, Rdson

Другие IGBT... MP13N50, MP5N50, MPF4N65, MPF7N65, MPG100N03P, MPG100N06, MDT100N06, MPS100N06, 10N65, MPG30P10P, MPG40P10P, MPG50N06P, MPG55N06P, MPT028N10S, MPT037N08P, MPT037N08S, MPT042N10P