MPG160N04P - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG160N04P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG160N04P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MPG160N04P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG160N04P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  cn minos
 mpg160n04p.pdf pdf_icon

MPG160N04P

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPG160N04 uses advanced technology and design to provideexcellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS=40V, Rdson

Другие MOSFET... MP13N50 , MP5N50 , MPF4N65 , MPF7N65 , MPG100N03P , MPG100N06 , MDT100N06 , MPS100N06 , 75N75 , MPG30P10P , MPG40P10P , MPG50N06P , MPG55N06P , MPT028N10S , MPT037N08P , MPT037N08S , MPT042N10P .

 

 
Back to Top

 


 
.