MPG40P10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPG40P10P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MPG40P10P MOSFET
MPG40P10P Datasheet (PDF)
mpg40p10p.pdf
Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPG40P10P uses advanced technology and design to provideexcellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS= -100V, ID=-40A Low ON ResistanceSchematic diagram Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy TestApplication Power switching application
mpg40n10p.pdf
100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG40N10P uses advanced trench technology toprovideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wideDS(ON)variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I =40ADS DR
Otros transistores... MPF4N65 , MPF7N65 , MPG100N03P , MPG100N06 , MDT100N06 , MPS100N06 , MPG160N04P , MPG30P10P , RFP50N06 , MPG50N06P , MPG55N06P , MPT028N10S , MPT037N08P , MPT037N08S , MPT042N10P , MPT042N10S , MPT045N08P .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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