MPG40P10P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPG40P10P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPG40P10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG40P10P даташит

 ..1. Size:158K  cn minos
 mpg40p10p.pdf pdf_icon

MPG40P10P

Silicon P-Channel Power MOSFET Description The MPG40P10P uses advanced technology and design to provide excellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS= -100V, ID=-40A Low ON Resistance Schematic diagram Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy Test Application Power switching application

 9.1. Size:922K  cn minos
 mpg40n10p.pdf pdf_icon

MPG40P10P

100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG40N10P uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I =40A DS D R

Другие IGBT... MPF4N65, MPF7N65, MPG100N03P, MPG100N06, MDT100N06, MPS100N06, MPG160N04P, MPG30P10P, RFP50N06, MPG50N06P, MPG55N06P, MPT028N10S, MPT037N08P, MPT037N08S, MPT042N10P, MPT042N10S, MPT045N08P