MPG40P10P - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG40P10P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG40P10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MPG40P10P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG40P10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  cn minos
 mpg40p10p.pdf pdf_icon

MPG40P10P

Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPG40P10P uses advanced technology and design to provideexcellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS= -100V, ID=-40A Low ON ResistanceSchematic diagram Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy TestApplication Power switching application

 9.1. Size:922K  cn minos
 mpg40n10p.pdf pdf_icon

MPG40P10P

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG40N10P uses advanced trench technology toprovideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wideDS(ON)variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I =40ADS DR

Другие MOSFET... MPF4N65 , MPF7N65 , MPG100N03P , MPG100N06 , MDT100N06 , MPS100N06 , MPG160N04P , MPG30P10P , IRF2807 , MPG50N06P , MPG55N06P , MPT028N10S , MPT037N08P , MPT037N08S , MPT042N10P , MPT042N10S , MPT045N08P .

 

 
Back to Top

 


 
.