MPG50N06P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPG50N06P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO220

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MPG50N06P datasheet

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MPG50N06P

Silicon N-Channel Power MOSFET Description The MPG50N06 uses advanced trench technology and design to provide Excellent R . It can be used in a wide variety of DS(ON) applications. General Features V =60V,I =50A DS D R 14m @V =10V (Typ 11.0 m ) dson GS R 16m @V =4.5V (Typ 12.5m ) dson GS Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances 100% Single P

Otros transistores... MPF7N65, MPG100N03P, MPG100N06, MDT100N06, MPS100N06, MPG160N04P, MPG30P10P, MPG40P10P, SI2302, MPG55N06P, MPT028N10S, MPT037N08P, MPT037N08S, MPT042N10P, MPT042N10S, MPT045N08P, MPT045N08S