MPG50N06P - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG50N06P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG50N06P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MPG50N06P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG50N06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  cn minos
 mpg50n06p.pdf pdf_icon

MPG50N06P

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPG50N06 uses advanced trench technology and designto provide Excellent R . It can be used in a wide variety ofDS(ON)applications.General Features V =60V,I =50ADS DR 14m @V =10V (Typ:11.0 m)dson GSR 16m @V =4.5V (Typ:12.5m)dson GS Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances 100% Single P

Другие MOSFET... MPF7N65 , MPG100N03P , MPG100N06 , MDT100N06 , MPS100N06 , MPG160N04P , MPG30P10P , MPG40P10P , 2N60 , MPG55N06P , MPT028N10S , MPT037N08P , MPT037N08S , MPT042N10P , MPT042N10S , MPT045N08P , MPT045N08S .

 

 
Back to Top

 


 
.