MPT028N10S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPT028N10S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: TO263

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MPT028N10S datasheet

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MPT028N10S

100V N-Channel Power MOSFET Description MPT028N10,the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications. General Features V =100V, R

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 mpt023n10t.pdf pdf_icon

MPT028N10S

Description MPT023N10-T, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 100 V DSS I 326 A D R 1.4 m DS( on).typ FEATURES

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