MPT028N10S - аналоги и даташиты транзистора

 

MPT028N10S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPT028N10S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для MPT028N10S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPT028N10S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:859K  cn minos
 mpt028n10p mpt028n10s.pdf pdf_icon

MPT028N10S

100V N-Channel Power MOSFETDescriptionMPT028N10,the N-channel Enhanced Power MOSFETs,is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss,improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable devicefor BMS and high current switching applications.General Features V =100V, R

 9.1. Size:707K  cn minos
 mpt023n10t.pdf pdf_icon

MPT028N10S

DescriptionMPT023N10-T, the N-channel Enhanced PowerMOSFETs, is obtained by advanced double trenchtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. This is suitable device for BMSand high current switching applications.KEY CHARACTERISTICSParameter Value UnitV 100 VDSSI 326 ADR 1.4 mDS( on).typFEATURES

Другие MOSFET... MPG100N06 , MDT100N06 , MPS100N06 , MPG160N04P , MPG30P10P , MPG40P10P , MPG50N06P , MPG55N06P , RU6888R , MPT037N08P , MPT037N08S , MPT042N10P , MPT042N10S , MPT045N08P , MPT045N08S , MPT65N08 , MPT65N08S .

 

 
Back to Top

 


 
.