MPT028N10S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPT028N10S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPT028N10S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPT028N10S даташит

 ..1. Size:859K  cn minos
 mpt028n10p mpt028n10s.pdf pdf_icon

MPT028N10S

100V N-Channel Power MOSFET Description MPT028N10,the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications. General Features V =100V, R

 9.1. Size:707K  cn minos
 mpt023n10t.pdf pdf_icon

MPT028N10S

Description MPT023N10-T, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 100 V DSS I 326 A D R 1.4 m DS( on).typ FEATURES

Другие IGBT... MPG100N06, MDT100N06, MPS100N06, MPG160N04P, MPG30P10P, MPG40P10P, MPG50N06P, MPG55N06P, 18N50, MPT037N08P, MPT037N08S, MPT042N10P, MPT042N10S, MPT045N08P, MPT045N08S, MPT65N08, MPT65N08S