MPT037N08P Todos los transistores

 

MPT037N08P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPT037N08P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1181 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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MPT037N08P Datasheet (PDF)

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MPT037N08P

85V N-Channel Power MOSFEDescriptionMPT037N08,the N-channel Enhanced Power MOSFETs,is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss,improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable devicefor BMS and high current switching applications.General Features V =85V, R

 9.1. Size:826K  cn minos
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MPT037N08P

85V N-Channel Power MOSFETDescriptionMPT035N08,the N-channel Enhanced Power MOSFETs,Is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss,improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable devicefor BMS and high current switching applications.General Features V =85V, R

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History: MDT20N06

 

 
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