MPT037N08P - аналоги и даташиты транзистора

 

MPT037N08P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPT037N08P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1181 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MPT037N08P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPT037N08P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:848K  cn minos
 mpt037n08p mpt037n08s.pdf pdf_icon

MPT037N08P

85V N-Channel Power MOSFEDescriptionMPT037N08,the N-channel Enhanced Power MOSFETs,is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss,improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable devicefor BMS and high current switching applications.General Features V =85V, R

 9.1. Size:826K  cn minos
 mpt035n08p mpt035n08s.pdf pdf_icon

MPT037N08P

85V N-Channel Power MOSFETDescriptionMPT035N08,the N-channel Enhanced Power MOSFETs,Is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss,improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable devicefor BMS and high current switching applications.General Features V =85V, R

Другие MOSFET... MDT100N06 , MPS100N06 , MPG160N04P , MPG30P10P , MPG40P10P , MPG50N06P , MPG55N06P , MPT028N10S , IRF530 , MPT037N08S , MPT042N10P , MPT042N10S , MPT045N08P , MPT045N08S , MPT65N08 , MPT65N08S , P80NF70 .

History: MPG60N10P

 

 
Back to Top

 


 
.