MPT65N08S Todos los transistores

 

MPT65N08S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPT65N08S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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MPT65N08S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  cn minos
 mpt65n08 mpt65n08s.pdf pdf_icon

MPT65N08S

85V N-Channel Power MOSFETDescriptionMPT65N08, the N-channel Enhanced Power MOSFETs,is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss, improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable devicefor motor drivers and high speed switching applications.General Features V =85V, R

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