MPT65N08S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPT65N08S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPT65N08S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPT65N08S даташит

 ..1. Size:538K  cn minos
 mpt65n08 mpt65n08s.pdf pdf_icon

MPT65N08S

85V N-Channel Power MOSFET Description MPT65N08, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for motor drivers and high speed switching applications. General Features V =85V, R

Другие IGBT... MPT028N10S, MPT037N08P, MPT037N08S, MPT042N10P, MPT042N10S, MPT045N08P, MPT045N08S, MPT65N08, P60NF06, P80NF70, AO3400S, AO3401S, IRLR024NTR, K3878, MD20N60, MD20N65, MD23N50