MPT65N08S - аналоги и даташиты транзистора

 

MPT65N08S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPT65N08S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для MPT65N08S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPT65N08S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  cn minos
 mpt65n08 mpt65n08s.pdf pdf_icon

MPT65N08S

85V N-Channel Power MOSFETDescriptionMPT65N08, the N-channel Enhanced Power MOSFETs,is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss, improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable devicefor motor drivers and high speed switching applications.General Features V =85V, R

Другие MOSFET... MPT028N10S , MPT037N08P , MPT037N08S , MPT042N10P , MPT042N10S , MPT045N08P , MPT045N08S , MPT65N08 , AO3401 , P80NF70 , , , , , , , .

History: P80NF70

 

 
Back to Top

 


 
.