K3878 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: K3878 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.15 Ohm

Encapsulados: TO3P

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K3878 datasheet

..1. Size:809K cn minos
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Silicon N-Channel Power MOSFET Description The K3878 uses advanced technology and design to provide excellent R . It can be used in a wide variety of DS(ON) applications. General Features V =900V, R

0.1. Size:227K toshiba
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2SK3878 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( - MOSIV) 2SK3878 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 720 V) Enhancement model Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

0.2. Size:216K inchange semiconductor
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isc N-Channel Mosfet Transistor 2SK3878 FEATURES Drain Current I = 9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.3 (Max) DS(on) Avalanche Energy Specified Fast Switching Simple Drive Requirements Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for a

Otros transistores... MPT045N08P, MPT045N08S, MPT65N08, MPT65N08S, P80NF70, AO3400S, AO3401S, IRLR024NTR, IRF1405, MD20N60, MD20N65, MD23N50, MD33N25, MD40N25, MD9N90, MDP18N20, MDP2N60

K3878 Datasheet. Equivalente