K3878 - аналоги и даташиты транзистора

 

K3878 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: K3878
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для K3878

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

K3878 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:809K  cn minos
 k3878.pdf pdf_icon

K3878

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe K3878 uses advanced technology and design toprovide excellent R . It can be used in a wide variety ofDS(ON)applications.General Features V =900V, R

 0.1. Size:227K  toshiba
 2sk3878.pdf pdf_icon

K3878

2SK3878 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (- MOSIV) 2SK3878 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 720 V) Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

 0.2. Size:216K  inchange semiconductor
 2sk3878.pdf pdf_icon

K3878

isc N-Channel Mosfet Transistor 2SK3878FEATURESDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.3(Max)DS(on)Avalanche Energy SpecifiedFast SwitchingSimple Drive RequirementsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for a

Другие MOSFET... MPT045N08P , MPT045N08S , MPT65N08 , MPT65N08S , P80NF70 , AO3400S , AO3401S , IRLR024NTR , IRF1405 , MD20N60 , MD20N65 , MD23N50 , MD33N25 , MD40N25 , MD9N90 , MDP18N20 , MDP2N60 .

History: IRFP450LC

 

 
Back to Top

 


 
.