MD23N50 Todos los transistores

 

MD23N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MD23N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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MD23N50 Datasheet (PDF)

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MD23N50

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionMD23N50 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtainedby advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance the avalanche energy.The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.General Features1 V =500V, R

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