MD23N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MD23N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MD23N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MD23N50 даташит

 ..1. Size:809K  cn minos
 md23n50.pdf pdf_icon

MD23N50

Silicon N-Channel Power MOSFET Description MD23N50 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. General Features 1 V =500V, R

Другие IGBT... MPT65N08S, P80NF70, AO3400S, AO3401S, IRLR024NTR, K3878, MD20N60, MD20N65, IRFZ46N, MD33N25, MD40N25, MD9N90, MDP18N20, MDP2N60, MDP5N65, MDP9N20, MDT08N06D