MD23N50 - аналоги и даташиты транзистора

 

MD23N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MD23N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для MD23N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MD23N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:809K  cn minos
md23n50.pdfpdf_icon

MD23N50

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionMD23N50 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtainedby advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance the avalanche energy.The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.General Features1 V =500V, R

Другие MOSFET... MPT65N08S , P80NF70 , AO3400S , AO3401S , IRLR024NTR , K3878 , MD20N60 , MD20N65 , RU7088R , MD33N25 , MD40N25 , MD9N90 , MDP18N20 , MDP2N60 , MDP5N65 , MDP9N20 , MDT08N06D .

 

 
Back to Top

 


 
.