MD33N25 Todos los transistores

 

MD33N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MD33N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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MD33N25 Datasheet (PDF)

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MD33N25

DescriptionMD33N25, the silicon N-channel EnhancedMOSFETs, is obtained by advanced MOSFETtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor is suitabledevice for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.KEY CHARACTERISTICSParameter Value UnitV 250 VDSI 33 ADR 0.1 DS(ON).Typ

Otros transistores... P80NF70 , AO3400S , AO3401S , IRLR024NTR , K3878 , MD20N60 , MD20N65 , MD23N50 , P0903BDG , MD40N25 , MD9N90 , MDP18N20 , MDP2N60 , MDP5N65 , MDP9N20 , MDT08N06D , MPG180N10P .

 

 
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