MD33N25 - аналоги и даташиты транзистора

 

MD33N25 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MD33N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для MD33N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MD33N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  cn minos
 md33n25.pdf pdf_icon

MD33N25

DescriptionMD33N25, the silicon N-channel EnhancedMOSFETs, is obtained by advanced MOSFETtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor is suitabledevice for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.KEY CHARACTERISTICSParameter Value UnitV 250 VDSI 33 ADR 0.1 DS(ON).Typ

Другие MOSFET... P80NF70 , AO3400S , AO3401S , IRLR024NTR , K3878 , MD20N60 , MD20N65 , MD23N50 , P0903BDG , MD40N25 , MD9N90 , MDP18N20 , MDP2N60 , MDP5N65 , MDP9N20 , MDT08N06D , MPG180N10P .

 

 
Back to Top

 


 
.