MD33N25 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MD33N25  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MD33N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MD33N25 даташит

 ..1. Size:561K  cn minos
 md33n25.pdf pdf_icon

MD33N25

Description MD33N25, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 250 V DS I 33 A D R 0.1 DS(ON).Typ

Другие IGBT... P80NF70, AO3400S, AO3401S, IRLR024NTR, K3878, MD20N60, MD20N65, MD23N50, IRF830, MD40N25, MD9N90, MDP18N20, MDP2N60, MDP5N65, MDP9N20, MDT08N06D, MPG180N10P