MD40N25 Todos los transistores

 

MD40N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MD40N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 620 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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MD40N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1084K  cn minos
 md40n25.pdf pdf_icon

MD40N25

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionMD40N25 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtainedby advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance the avalanche energy.The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.General FeaturesV =250V, R

 9.1. Size:302K  cn minos
 md40n50.pdf pdf_icon

MD40N25

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MD40N50 uses advanced technology and designto provide excellent RDS(ON) . It can be used in a widevariety of applications.General Features V =500V,I =40ADS D Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy TestApplication Power switching applicationTO-247 Adapter and

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