MD40N25 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MD40N25  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 620 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TO247

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MD40N25 datasheet

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MD40N25

Silicon N-Channel Power MOSFET Description MD40N25 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. General Features V =250V, R

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MD40N25

Silicon N-Channel Power MOSFET Description The MD40N50 uses advanced technology and design to provide excellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications. General Features V =500V,I =40A DS D Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy Test Application Power switching application TO-247 Adapter and

Otros transistores... AO3400S, AO3401S, IRLR024NTR, K3878, MD20N60, MD20N65, MD23N50, MD33N25, IRLB3034, MD9N90, MDP18N20, MDP2N60, MDP5N65, MDP9N20, MDT08N06D, MPG180N10P, MPG180N10S