MD40N25 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MD40N25  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 620 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MD40N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MD40N25 даташит

 ..1. Size:1084K  cn minos
 md40n25.pdf pdf_icon

MD40N25

Silicon N-Channel Power MOSFET Description MD40N25 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. General Features V =250V, R

 9.1. Size:302K  cn minos
 md40n50.pdf pdf_icon

MD40N25

Silicon N-Channel Power MOSFET Description The MD40N50 uses advanced technology and design to provide excellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications. General Features V =500V,I =40A DS D Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy Test Application Power switching application TO-247 Adapter and

Другие IGBT... AO3400S, AO3401S, IRLR024NTR, K3878, MD20N60, MD20N65, MD23N50, MD33N25, IRLB3034, MD9N90, MDP18N20, MDP2N60, MDP5N65, MDP9N20, MDT08N06D, MPG180N10P, MPG180N10S