MDP2N60 Todos los transistores

 

MDP2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDP2N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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MDP2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  cn minos
 mdp2n60 mdt2n60 mpf2n60.pdf pdf_icon

MDP2N60

600V N-Channel Power MOSFETFeatures PRODUCT SUMMARY R

 0.1. Size:1080K  magnachip
 mdf2n60th mdf2n60tp mdp2n60th mdp2n60tp.pdf pdf_icon

MDP2N60

MDP2N60/MDF2N60 N-Channel MOSFET 600V, 2.0A, 4.5General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 2.0A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 4.5 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable device for SM

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History: AO3401S | MPG200N08P

 

 
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