MDP2N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDP2N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDP2N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP2N60 даташит

 ..1. Size:769K  cn minos
 mdp2n60 mdt2n60 mpf2n60.pdf pdf_icon

MDP2N60

600V N-Channel Power MOSFET Features PRODUCT SUMMARY R

 0.1. Size:1080K  magnachip
 mdf2n60th mdf2n60tp mdp2n60th mdp2n60tp.pdf pdf_icon

MDP2N60

MDP2N60/MDF2N60 N-Channel MOSFET 600V, 2.0A, 4.5 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DS MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- I = 2.0A @ V = 10V D GS state resistance, high switching performance and excellent R 4.5 @ V = 10V DS(ON) GS quality. Applications These devices are suitable device for SM

Другие IGBT... K3878, MD20N60, MD20N65, MD23N50, MD33N25, MD40N25, MD9N90, MDP18N20, AON7403, MDP5N65, MDP9N20, MDT08N06D, MPG180N10P, MPG180N10S, MPG200N08P, MPG200N08S, MPG30N06P