MDP2N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

MDP2N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDP2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для MDP2N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  cn minos
 mdp2n60 mdt2n60 mpf2n60.pdf pdf_icon

MDP2N60

600V N-Channel Power MOSFETFeatures PRODUCT SUMMARY R

 0.1. Size:1080K  magnachip
 mdf2n60th mdf2n60tp mdp2n60th mdp2n60tp.pdf pdf_icon

MDP2N60

MDP2N60/MDF2N60 N-Channel MOSFET 600V, 2.0A, 4.5General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 2.0A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 4.5 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable device for SM

Другие MOSFET... K3878 , MD20N60 , MD20N65 , MD23N50 , MD33N25 , MD40N25 , MD9N90 , MDP18N20 , EMB04N03H , MDP5N65 , MDP9N20 , MDT08N06D , , , , , .

History: HFP45N06 | MD40N25 | MD9N90 | P2804BVG | MDT08N06D | MDP5N65

 

 
Back to Top

 


 
.