MPG180N10S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPG180N10S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 211 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de MPG180N10S MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MPG180N10S datasheet

 ..1. Size:1033K  cn minos
 mpg180n10p mpg180n10s.pdf pdf_icon

MPG180N10S

100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG180N10P uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in DS(ON) a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 180A R

Otros transistores... MD40N25, MD9N90, MDP18N20, MDP2N60, MDP5N65, MDP9N20, MDT08N06D, MPG180N10P, AOD4184A, MPG200N08P, MPG200N08S, MPG30N06P, MPG30N10P, MPG40N10P, MPG60N10P, MPG60NF06P, MPG80N06P