MPG180N10S Todos los transistores

 

MPG180N10S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPG180N10S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 211 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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MPG180N10S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1033K  cn minos
 mpg180n10p mpg180n10s.pdf pdf_icon

MPG180N10S

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG180N10P uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be used inDS(ON)a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 180A R

Otros transistores... MD40N25 , MD9N90 , MDP18N20 , MDP2N60 , MDP5N65 , MDP9N20 , MDT08N06D , MPG180N10P , AO4468 , MPG200N08P , MPG200N08S , MPG30N06P , MPG30N10P , MPG40N10P , MPG60N10P , MPG60NF06P , MPG80N06P .

History: IRFPC50LC

 

 
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