MPG180N10S - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG180N10S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG180N10S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 211 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для MPG180N10S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG180N10S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1033K  cn minos
 mpg180n10p mpg180n10s.pdf pdf_icon

MPG180N10S

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG180N10P uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be used inDS(ON)a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 180A R

Другие MOSFET... MD40N25 , MD9N90 , MDP18N20 , MDP2N60 , MDP5N65 , MDP9N20 , MDT08N06D , MPG180N10P , AO4468 , MPG200N08P , MPG200N08S , MPG30N06P , MPG30N10P , MPG40N10P , MPG60N10P , MPG60NF06P , MPG80N06P .

 

 
Back to Top

 


 
.