MPG180N10S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPG180N10S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 211 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPG180N10S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG180N10S даташит

 ..1. Size:1033K  cn minos
 mpg180n10p mpg180n10s.pdf pdf_icon

MPG180N10S

100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG180N10P uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in DS(ON) a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 180A R

Другие IGBT... MD40N25, MD9N90, MDP18N20, MDP2N60, MDP5N65, MDP9N20, MDT08N06D, MPG180N10P, AOD4184A, MPG200N08P, MPG200N08S, MPG30N06P, MPG30N10P, MPG40N10P, MPG60N10P, MPG60NF06P, MPG80N06P