MPG200N08S Todos los transistores

 

MPG200N08S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPG200N08S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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MPG200N08S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1097K  cn minos
 mpg200n08p mpg200n08s.pdf pdf_icon

MPG200N08S

80V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG200N08 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be usedin a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS VDS = 80V,ID = 200A RDS(ON)

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