MPG200N08S - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG200N08S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG200N08S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для MPG200N08S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG200N08S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1097K  cn minos
 mpg200n08p mpg200n08s.pdf pdf_icon

MPG200N08S

80V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG200N08 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be usedin a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS VDS = 80V,ID = 200A RDS(ON)

Другие MOSFET... MDP18N20 , MDP2N60 , MDP5N65 , MDP9N20 , MDT08N06D , MPG180N10P , MPG180N10S , MPG200N08P , IRFB7545 , MPG30N06P , MPG30N10P , MPG40N10P , MPG60N10P , MPG60NF06P , MPG80N06P , MPG90N08P , MPG90N08S .

 

 
Back to Top

 


 
.