MPG30N10P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPG30N10P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TO220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de MPG30N10P MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MPG30N10P datasheet

 ..1. Size:951K  cn minos
 mdt30n10d mpg30n10p.pdf pdf_icon

MPG30N10P

100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG30N10 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I =30A DS D R

 8.1. Size:2198K  cn minos
 mpg30n06p.pdf pdf_icon

MPG30N10P

 9.1. Size:205K  cn minos
 mpg30p10p.pdf pdf_icon

MPG30N10P

Silicon P-Channel Power MOSFET Description The MPG30P10P uses advanced technology and design to provide excellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS=-100V, ID=-30A Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy Test Application Power switching application Adapter and charger

Otros transistores... MDP5N65, MDP9N20, MDT08N06D, MPG180N10P, MPG180N10S, MPG200N08P, MPG200N08S, MPG30N06P, AO4468, MPG40N10P, MPG60N10P, MPG60NF06P, MPG80N06P, MPG90N08P, MPG90N08S, MPT012N08T, MPT023N10T