MPG30N10P Todos los transistores

 

MPG30N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPG30N10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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MPG30N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:951K  cn minos
 mdt30n10d mpg30n10p.pdf pdf_icon

MPG30N10P

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG30N10 uses advanced trench technology toprovideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wideDS(ON)variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I =30ADS DR

 8.1. Size:2198K  cn minos
 mpg30n06p.pdf pdf_icon

MPG30N10P

Green Product MPG30N06 60V N-Channel Power MOSFET KEY CHARACTERISTICS DESCRIPTION V = 60V,I = 30A DS DThe MPG30N60 uses advanced trench technology to provide R

 9.1. Size:205K  cn minos
 mpg30p10p.pdf pdf_icon

MPG30N10P

Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPG30P10P uses advanced technology and design to provideexcellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS=-100V, ID=-30A Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy TestApplication Power switching application Adapter and charger

Otros transistores... MDP5N65 , MDP9N20 , MDT08N06D , MPG180N10P , MPG180N10S , MPG200N08P , MPG200N08S , MPG30N06P , IRF730 , MPG40N10P , MPG60N10P , MPG60NF06P , MPG80N06P , MPG90N08P , MPG90N08S , MPT012N08T , MPT023N10T .

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