MPG30N10P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPG30N10P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPG30N10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG30N10P даташит

 ..1. Size:951K  cn minos
 mdt30n10d mpg30n10p.pdf pdf_icon

MPG30N10P

100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG30N10 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I =30A DS D R

 8.1. Size:2198K  cn minos
 mpg30n06p.pdf pdf_icon

MPG30N10P

 9.1. Size:205K  cn minos
 mpg30p10p.pdf pdf_icon

MPG30N10P

Silicon P-Channel Power MOSFET Description The MPG30P10P uses advanced technology and design to provide excellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS=-100V, ID=-30A Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy Test Application Power switching application Adapter and charger

Другие IGBT... MDP5N65, MDP9N20, MDT08N06D, MPG180N10P, MPG180N10S, MPG200N08P, MPG200N08S, MPG30N06P, AO4468, MPG40N10P, MPG60N10P, MPG60NF06P, MPG80N06P, MPG90N08P, MPG90N08S, MPT012N08T, MPT023N10T