MPG40N10P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPG40N10P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TO220

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MPG40N10P datasheet

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MPG40N10P

100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG40N10P uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I =40A DS D R

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MPG40N10P

Silicon P-Channel Power MOSFET Description The MPG40P10P uses advanced technology and design to provide excellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS= -100V, ID=-40A Low ON Resistance Schematic diagram Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy Test Application Power switching application

Otros transistores... MDP9N20, MDT08N06D, MPG180N10P, MPG180N10S, MPG200N08P, MPG200N08S, MPG30N06P, MPG30N10P, IRF730, MPG60N10P, MPG60NF06P, MPG80N06P, MPG90N08P, MPG90N08S, MPT012N08T, MPT023N10T, MPT028N10P