MPG40N10P Todos los transistores

 

MPG40N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPG40N10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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MPG40N10P Datasheet (PDF)

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MPG40N10P

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG40N10P uses advanced trench technology toprovideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wideDS(ON)variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I =40ADS DR

 9.1. Size:158K  cn minos
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MPG40N10P

Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPG40P10P uses advanced technology and design to provideexcellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS= -100V, ID=-40A Low ON ResistanceSchematic diagram Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy TestApplication Power switching application

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History: MPG90N08P | MPT028N10P

 

 
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