MPG40N10P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPG40N10P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPG40N10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG40N10P даташит

 ..1. Size:922K  cn minos
 mpg40n10p.pdf pdf_icon

MPG40N10P

100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG40N10P uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I =40A DS D R

 9.1. Size:158K  cn minos
 mpg40p10p.pdf pdf_icon

MPG40N10P

Silicon P-Channel Power MOSFET Description The MPG40P10P uses advanced technology and design to provide excellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS= -100V, ID=-40A Low ON Resistance Schematic diagram Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy Test Application Power switching application

Другие IGBT... MDP9N20, MDT08N06D, MPG180N10P, MPG180N10S, MPG200N08P, MPG200N08S, MPG30N06P, MPG30N10P, IRF730, MPG60N10P, MPG60NF06P, MPG80N06P, MPG90N08P, MPG90N08S, MPT012N08T, MPT023N10T, MPT028N10P