MPG40N10P - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG40N10P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG40N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MPG40N10P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG40N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:922K  cn minos
 mpg40n10p.pdf pdf_icon

MPG40N10P

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG40N10P uses advanced trench technology toprovideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wideDS(ON)variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I =40ADS DR

 9.1. Size:158K  cn minos
 mpg40p10p.pdf pdf_icon

MPG40N10P

Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPG40P10P uses advanced technology and design to provideexcellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS= -100V, ID=-40A Low ON ResistanceSchematic diagram Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy TestApplication Power switching application

Другие MOSFET... MDP9N20 , MDT08N06D , MPG180N10P , MPG180N10S , MPG200N08P , MPG200N08S , MPG30N06P , MPG30N10P , IRFP064N , MPG60N10P , MPG60NF06P , MPG80N06P , MPG90N08P , MPG90N08S , MPT012N08T , MPT023N10T , MPT028N10P .

 

 
Back to Top

 


 
.