MPG80N06P Todos los transistores

 

MPG80N06P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPG80N06P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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MPG80N06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  cn minos
 mpg80n06p mdt80n06d.pdf pdf_icon

MPG80N06P

60V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG80N06 uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wideDS(ON)variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 60V,I = 80ADS DR

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