MPG80N06P - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG80N06P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG80N06P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MPG80N06P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG80N06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  cn minos
 mpg80n06p mdt80n06d.pdf pdf_icon

MPG80N06P

60V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG80N06 uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wideDS(ON)variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 60V,I = 80ADS DR

Другие MOSFET... MPG180N10S , MPG200N08P , MPG200N08S , MPG30N06P , MPG30N10P , MPG40N10P , MPG60N10P , MPG60NF06P , IRF740 , MPG90N08P , MPG90N08S , MPT012N08T , MPT023N10T , MPT028N10P , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.