MDT12N10L Todos los transistores

 

MDT12N10L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT12N10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MDT12N10L Datasheet (PDF)

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MDT12N10L

100V N-Channel Power MOSFETDescriptionMDT12N10L, the uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide varietyDS(ON)of applicationsKEY CHARACTERISTICSV =100V,ID=12ADSR

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