MDT12N10L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDT12N10L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO252

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MDT12N10L datasheet

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MDT12N10L

100V N-Channel Power MOSFET Description MDT12N10L, the uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in a wide variety DS(ON) of applications KEY CHARACTERISTICS V =100V,ID=12A DS R

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