MDT12N10L - аналоги и даташиты транзистора

 

MDT12N10L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDT12N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MDT12N10L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT12N10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:996K  cn minos
 mdt12n10l.pdf pdf_icon

MDT12N10L

100V N-Channel Power MOSFETDescriptionMDT12N10L, the uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide varietyDS(ON)of applicationsKEY CHARACTERISTICSV =100V,ID=12ADSR

Другие MOSFET... MPG60N10P , MPG60NF06P , MPG80N06P , MPG90N08P , MPG90N08S , MPT012N08T , MPT023N10T , MPT028N10P , IRFP460 , MDT13N10D , MDT15N10 , MDT15P04D , MDT18N10D , MDT18N20 , MDT20N06 , MDT20P04D , MDT2N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.