MDT13N10D Todos los transistores

 

MDT13N10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT13N10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MDT13N10D Datasheet (PDF)

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MDT13N10D

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MDT13N10D uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be usedin a wide variety of applications.ApplicationPower switching applicationHard switched and High frequency circuitsUninterruptible power supplySchematic diagramKEY CHARACTERISTICSVDS = 100V,ID = 13ARDS(ON)

Otros transistores... MPG60NF06P , MPG80N06P , MPG90N08P , MPG90N08S , MPT012N08T , MPT023N10T , MPT028N10P , MDT12N10L , IRF640 , MDT15N10 , MDT15P04D , MDT18N10D , MDT18N20 , MDT20N06 , MDT20P04D , MDT2N60 , MDT30N06L .

History: RUH60D60M

 

 
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