MDT13N10D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDT13N10D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDT13N10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT13N10D даташит

 ..1. Size:1018K  cn minos
 mdt13n10d.pdf pdf_icon

MDT13N10D

100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MDT13N10D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application Power switching application Hard switched and High frequency circuits Uninterruptible power supply Schematic diagram KEY CHARACTERISTICS VDS = 100V,ID = 13A RDS(ON)

Другие IGBT... MPG60NF06P, MPG80N06P, MPG90N08P, MPG90N08S, MPT012N08T, MPT023N10T, MPT028N10P, MDT12N10L, IRFZ44, MDT15N10, MDT15P04D, MDT18N10D, MDT18N20, MDT20N06, MDT20P04D, MDT2N60, MDT30N06L