MDT13N10D - аналоги и даташиты транзистора

 

MDT13N10D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDT13N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MDT13N10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT13N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1018K  cn minos
 mdt13n10d.pdf pdf_icon

MDT13N10D

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MDT13N10D uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be usedin a wide variety of applications.ApplicationPower switching applicationHard switched and High frequency circuitsUninterruptible power supplySchematic diagramKEY CHARACTERISTICSVDS = 100V,ID = 13ARDS(ON)

Другие MOSFET... MPG60NF06P , MPG80N06P , MPG90N08P , MPG90N08S , MPT012N08T , MPT023N10T , MPT028N10P , MDT12N10L , IRF640 , MDT15N10 , MDT15P04D , MDT18N10D , MDT18N20 , MDT20N06 , MDT20P04D , MDT2N60 , MDT30N06L .

History: IRFP451R | STU06L01

 

 
Back to Top

 


 
.