MDT15N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDT15N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MDT15N10 MOSFET
MDT15N10 Datasheet (PDF)
mdt15n10.pdf
100V N-Channel Power MOSFETDescriptionMDT15N10, the uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide varietyDS(ON)of applicationsKEY CHARACTERISTICSV =100V,ID=15ADSR
mdt15p04d.pdf
Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MDT15P04D uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide varietyDS(ON)of applications.KEY CHARACTERISTICS V = -40V,I =-15ADS D R
Otros transistores... MPG80N06P , MPG90N08P , MPG90N08S , MPT012N08T , MPT023N10T , MPT028N10P , MDT12N10L , MDT13N10D , IRF640 , MDT15P04D , MDT18N10D , MDT18N20 , MDT20N06 , MDT20P04D , MDT2N60 , MDT30N06L , MDT30N10 .
History: SIHFPC50A | MPG90N08P
History: SIHFPC50A | MPG90N08P
Liste
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