MDT15N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDT15N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDT15N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT15N10 даташит

 ..1. Size:995K  cn minos
 mdt15n10.pdf pdf_icon

MDT15N10

100V N-Channel Power MOSFET Description MDT15N10, the uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in a wide variety DS(ON) of applications KEY CHARACTERISTICS V =100V,ID=15A DS R

 9.1. Size:766K  cn minos
 mdt15p04d.pdf pdf_icon

MDT15N10

Silicon P-Channel Power MOSFET Description The MDT15P04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in a wide variety DS(ON) of applications. KEY CHARACTERISTICS V = -40V,I =-15A DS D R

Другие IGBT... MPG80N06P, MPG90N08P, MPG90N08S, MPT012N08T, MPT023N10T, MPT028N10P, MDT12N10L, MDT13N10D, IRF640, MDT15P04D, MDT18N10D, MDT18N20, MDT20N06, MDT20P04D, MDT2N60, MDT30N06L, MDT30N10