MDT20N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDT20N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MDT20N06 MOSFET
MDT20N06 Datasheet (PDF)
mdt20n06.pdf
Green Product MDT20N0660V N-Channel Power MOSFET KEY CHARACTERISTICS DESCRIPTION V = 60V,I = 20ADS DThe MDT20N06 uses advanced trench technology to provideR
mdt20p04d.pdf
Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MDT20P04D uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide varietyDS(ON)of applications.KEY CHARACTERISTICS V = -40V,I =-20ADS D R
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History: MDT2N60
History: MDT2N60
Liste
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