MDT20N06 Todos los transistores

 

MDT20N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT20N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MDT20N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3343K  cn minos
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MDT20N06

Green Product MDT20N0660V N-Channel Power MOSFET KEY CHARACTERISTICS DESCRIPTION V = 60V,I = 20ADS DThe MDT20N06 uses advanced trench technology to provideR

 9.1. Size:766K  cn minos
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MDT20N06

Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MDT20P04D uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide varietyDS(ON)of applications.KEY CHARACTERISTICS V = -40V,I =-20ADS D R

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