MDT20N06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDT20N06  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TO252

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MDT20N06 datasheet

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MDT20N06

Green Product MDT20N06 60V N-Channel Power MOSFET KEY CHARACTERISTICS DESCRIPTION V = 60V,I = 20A DS D The MDT20N06 uses advanced trench technology to provide R

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MDT20N06

Silicon P-Channel Power MOSFET Description The MDT20P04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in a wide variety DS(ON) of applications. KEY CHARACTERISTICS V = -40V,I =-20A DS D R

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