MDT20N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDT20N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDT20N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT20N06 даташит

 ..1. Size:3343K  cn minos
 mdt20n06.pdf pdf_icon

MDT20N06

Green Product MDT20N06 60V N-Channel Power MOSFET KEY CHARACTERISTICS DESCRIPTION V = 60V,I = 20A DS D The MDT20N06 uses advanced trench technology to provide R

 9.1. Size:766K  cn minos
 mdt20p04d.pdf pdf_icon

MDT20N06

Silicon P-Channel Power MOSFET Description The MDT20P04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in a wide variety DS(ON) of applications. KEY CHARACTERISTICS V = -40V,I =-20A DS D R

Другие IGBT... MPT023N10T, MPT028N10P, MDT12N10L, MDT13N10D, MDT15N10, MDT15P04D, MDT18N10D, MDT18N20, IRF640N, MDT20P04D, MDT2N60, MDT30N06L, MDT30N10, MDT30N10D, MDT40N06D, MDT40N10D, MDT50N06D