MDT20N06 - аналоги и даташиты транзистора

 

MDT20N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDT20N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MDT20N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT20N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3343K  cn minos
 mdt20n06.pdf pdf_icon

MDT20N06

Green Product MDT20N0660V N-Channel Power MOSFET KEY CHARACTERISTICS DESCRIPTION V = 60V,I = 20ADS DThe MDT20N06 uses advanced trench technology to provideR

 9.1. Size:766K  cn minos
 mdt20p04d.pdf pdf_icon

MDT20N06

Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MDT20P04D uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide varietyDS(ON)of applications.KEY CHARACTERISTICS V = -40V,I =-20ADS D R

Другие MOSFET... MPT023N10T , MPT028N10P , MDT12N10L , MDT13N10D , MDT15N10 , MDT15P04D , MDT18N10D , MDT18N20 , IRF640N , MDT20P04D , MDT2N60 , MDT30N06L , MDT30N10 , MDT30N10D , MDT40N06D , MDT40N10D , MDT50N06D .

 

 
Back to Top

 


 
.