MDT20P04D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDT20P04D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO252

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MDT20P04D datasheet

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MDT20P04D

Silicon P-Channel Power MOSFET Description The MDT20P04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in a wide variety DS(ON) of applications. KEY CHARACTERISTICS V = -40V,I =-20A DS D R

 9.1. Size:3343K  cn minos
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MDT20P04D

Green Product MDT20N06 60V N-Channel Power MOSFET KEY CHARACTERISTICS DESCRIPTION V = 60V,I = 20A DS D The MDT20N06 uses advanced trench technology to provide R

Otros transistores... MPT028N10P, MDT12N10L, MDT13N10D, MDT15N10, MDT15P04D, MDT18N10D, MDT18N20, MDT20N06, IRFP260N, MDT2N60, MDT30N06L, MDT30N10, MDT30N10D, MDT40N06D, MDT40N10D, MDT50N06D, MPF2N60