MDT20P04D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MDT20P04D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для MDT20P04D
MDT20P04D Datasheet (PDF)
mdt20p04d.pdf
Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MDT20P04D uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide varietyDS(ON)of applications.KEY CHARACTERISTICS V = -40V,I =-20ADS D R
mdt20n06.pdf
Green Product MDT20N0660V N-Channel Power MOSFET KEY CHARACTERISTICS DESCRIPTION V = 60V,I = 20ADS DThe MDT20N06 uses advanced trench technology to provideR
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF9540 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGMS5N50D | AGML315ME | AGMH70N90H | AGMH70N90C | AGMH70N70D | AGMH70N70C | AGMH614H | AGMH614D | AGMH614C | AGMH612D | AGMH6080H | AGMH606H | AGMH606C | AGMH605C | AGMH403A1 | AGM308MBP
Popular searches
b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor



