MDT2N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDT2N60  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm

Encapsulados: TO252

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MDT2N60 datasheet

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MDT2N60

600V N-Channel Power MOSFET Features PRODUCT SUMMARY R

Otros transistores... MDT12N10L, MDT13N10D, MDT15N10, MDT15P04D, MDT18N10D, MDT18N20, MDT20N06, MDT20P04D, AO3400, MDT30N06L, MDT30N10, MDT30N10D, MDT40N06D, MDT40N10D, MDT50N06D, MPF2N60, MPF3N150