MDT2N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDT2N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDT2N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT2N60 даташит

 ..1. Size:769K  cn minos
 mdp2n60 mdt2n60 mpf2n60.pdf pdf_icon

MDT2N60

600V N-Channel Power MOSFET Features PRODUCT SUMMARY R

Другие IGBT... MDT12N10L, MDT13N10D, MDT15N10, MDT15P04D, MDT18N10D, MDT18N20, MDT20N06, MDT20P04D, AO3400, MDT30N06L, MDT30N10, MDT30N10D, MDT40N06D, MDT40N10D, MDT50N06D, MPF2N60, MPF3N150