MDT30N10 Todos los transistores

 

MDT30N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT30N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MDT30N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:936K  cn minos
 mdt30n10.pdf pdf_icon

MDT30N10

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MDT30N10 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON)in a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 30A R

 0.1. Size:951K  cn minos
 mdt30n10d mpg30n10p.pdf pdf_icon

MDT30N10

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG30N10 uses advanced trench technology toprovideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wideDS(ON)variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I =30ADS DR

 8.1. Size:962K  cn minos
 mdt30n06l.pdf pdf_icon

MDT30N10

60V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MDT30N06L uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be usedin a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS VDS = 60V,ID= 30ARDS(ON)

 9.1. Size:492K  cn cbi
 mmdt3052dw.pdf pdf_icon

MDT30N10

MMDT3052DW ( NPN+NPN) Silicon Epitaxial Planar TransistorFeatures Each transistor elements are independentApplications For low frequency amplify applicationMARKING: 5GParameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 50 VCollector Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 200 mAPower Dissipation Ptot 150 mWJunction Temperature

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