MDT30N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

MDT30N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDT30N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MDT30N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT30N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:936K  cn minos
 mdt30n10.pdf pdf_icon

MDT30N10

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MDT30N10 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON)in a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 30A R

 0.1. Size:951K  cn minos
 mdt30n10d mpg30n10p.pdf pdf_icon

MDT30N10

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG30N10 uses advanced trench technology toprovideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wideDS(ON)variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I =30ADS DR

 8.1. Size:962K  cn minos
 mdt30n06l.pdf pdf_icon

MDT30N10

60V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MDT30N06L uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be usedin a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS VDS = 60V,ID= 30ARDS(ON)

 9.1. Size:492K  cn cbi
 mmdt3052dw.pdf pdf_icon

MDT30N10

MMDT3052DW ( NPN+NPN) Silicon Epitaxial Planar TransistorFeatures Each transistor elements are independentApplications For low frequency amplify applicationMARKING: 5GParameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 50 VCollector Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 200 mAPower Dissipation Ptot 150 mWJunction Temperature

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MDT15N10 , MDT15P04D , MDT18N10D , MDT18N20 , MDT20N06 , MDT20P04D , MDT2N60 , MDT30N06L , P55NF06 , MDT30N10D , MDT40N06D , MDT40N10D , MDT50N06D , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.