MDT40N06D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDT40N06D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de MDT40N06D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MDT40N06D datasheet

 ..1. Size:1035K  cn minos
 mdt40n06d.pdf pdf_icon

MDT40N06D

60V N-Channel Power MOSFE Description The MDT60N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V, R

 8.1. Size:928K  cn minos
 mdt40n10d.pdf pdf_icon

MDT40N06D

100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MDT40N10D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used DS(ON) in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 40A R

 9.1. Size:250K  cn minos
 mdt40p10d.pdf pdf_icon

MDT40N06D

Silicon P-Channel Power MOSFET Description The MDT40P10D uses advanced technology and design to provide excellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS= -100V, ID=-40A Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances Schematic diagram 100% Single Pulse avalanche energy Test Application Power switching application

Otros transistores... MDT18N10D, MDT18N20, MDT20N06, MDT20P04D, MDT2N60, MDT30N06L, MDT30N10, MDT30N10D, AON6414A, MDT40N10D, MDT50N06D, MPF2N60, MPF3N150, MPF40N25, MPF50N25, MPF5N65, MPF8N65