MDT40N06D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDT40N06D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDT40N06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT40N06D даташит

 ..1. Size:1035K  cn minos
 mdt40n06d.pdf pdf_icon

MDT40N06D

60V N-Channel Power MOSFE Description The MDT60N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V, R

 8.1. Size:928K  cn minos
 mdt40n10d.pdf pdf_icon

MDT40N06D

100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MDT40N10D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used DS(ON) in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 40A R

 9.1. Size:250K  cn minos
 mdt40p10d.pdf pdf_icon

MDT40N06D

Silicon P-Channel Power MOSFET Description The MDT40P10D uses advanced technology and design to provide excellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS= -100V, ID=-40A Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances Schematic diagram 100% Single Pulse avalanche energy Test Application Power switching application

Другие IGBT... MDT18N10D, MDT18N20, MDT20N06, MDT20P04D, MDT2N60, MDT30N06L, MDT30N10, MDT30N10D, AON6414A, MDT40N10D, MDT50N06D, MPF2N60, MPF3N150, MPF40N25, MPF50N25, MPF5N65, MPF8N65