MDT50N06D Todos los transistores

 

MDT50N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT50N06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de MDT50N06D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MDT50N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1036K  cn minos
 mdt50n06d.pdf pdf_icon

MDT50N06D

60V N-Channel Power MOSFEDescriptionThe MDT50N06 uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge. It canbe used in a wide variety of applications.General Features V =60V, R

Otros transistores... MDT20N06 , MDT20P04D , MDT2N60 , MDT30N06L , MDT30N10 , MDT30N10D , MDT40N06D , MDT40N10D , IRF9540 , MPF2N60 , MPF3N150 , MPF40N25 , MPF50N25 , MPF5N65 , MPF8N65 , MPF9N20 , MPG100N06P .

 

 
Back to Top

 


 
.