MDT50N06D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDT50N06D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDT50N06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT50N06D даташит

 ..1. Size:1036K  cn minos
 mdt50n06d.pdf pdf_icon

MDT50N06D

60V N-Channel Power MOSFE Description The MDT50N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V, R

Другие IGBT... MDT20N06, MDT20P04D, MDT2N60, MDT30N06L, MDT30N10, MDT30N10D, MDT40N06D, MDT40N10D, 2N7000, MPF2N60, MPF3N150, MPF40N25, MPF50N25, MPF5N65, MPF8N65, MPF9N20, MPG100N06P