MDT50N06D - аналоги и даташиты транзистора

 

MDT50N06D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDT50N06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MDT50N06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT50N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1036K  cn minos
 mdt50n06d.pdf pdf_icon

MDT50N06D

60V N-Channel Power MOSFEDescriptionThe MDT50N06 uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge. It canbe used in a wide variety of applications.General Features V =60V, R

Другие MOSFET... MDT20N06 , MDT20P04D , MDT2N60 , MDT30N06L , MDT30N10 , MDT30N10D , MDT40N06D , MDT40N10D , IRFP250N , MPF2N60 , MPF3N150 , MPF40N25 , MPF50N25 , MPF5N65 , MPF8N65 , MPF9N20 , MPG100N06P .

History: MPF4N65

 

 
Back to Top

 


 
.