MPF3N150 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPF3N150  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm

Encapsulados: TO220F

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MPF3N150 datasheet

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MPF3N150

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MPF3N150

TMP3N50Z(G)/TMPF3N50Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

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MPF3N150

TMP3N50AZ(G)/TMPF3N50AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 9.3. Size:596K  trinnotech
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MPF3N150

TMP3N80/TMPF3N80 TMP3N80G/TMPF3N80G VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 3A Low gate charge RDS(ON) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP3N80 / TMPF3N80 TO-220 / TO-220F TMP3N80 / TMPF3N80 RoHS TMP3N80G / TMPF3N

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