MPF3N150 Todos los transistores

 

MPF3N150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPF3N150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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MPF3N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  cn minos
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MPF3N150

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPF3N150 uses advanced technology and design toprovide excellent R . It can be used in a wide variety ofDS(ON)applications.General Features V =1500V,I =3ADS D Low ON ResistanceSchematic diagram Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy TestApplication Power switching application

 9.1. Size:619K  trinnotech
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MPF3N150

TMP3N50Z(G)/TMPF3N50Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 9.2. Size:608K  trinnotech
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MPF3N150

TMP3N50AZ(G)/TMPF3N50AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 9.3. Size:596K  trinnotech
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MPF3N150

TMP3N80/TMPF3N80 TMP3N80G/TMPF3N80G VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 3A Low gate charge RDS(ON) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP3N80 / TMPF3N80 TO-220 / TO-220F TMP3N80 / TMPF3N80 RoHS TMP3N80G / TMPF3N

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